據香港中通社報道，臺灣“國研院”納米（臺稱“奈米”）組件實驗室領先全球，開發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數組晶胞；這個新內存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內可儲存1個圖書館的文字數據，將讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性，這項技術預計在5到10年內進入量產。

　　臺灣“國研院”院長陳文華，以及負責“9納米超節(jié)能內存”開發(fā)的何家驊博士12月14日召開記者會，公布這項重大研究成果。

　　何家驊指出，隨著可攜式3C產品對體積越來越小以及容量越來越大的需求日益增加，如何能研發(fā)出體積更小、記憶量更大的內存，是全球研究人員努力的目標。

　　如今臺灣開發(fā)出最小的9納米功能性電阻式內存(R-RAM)數組晶胞，容量比現在的閃存增大20倍，但耗電量卻降低了200倍，應用這個技術在1平方厘米面積下，可以儲存1個圖書館的文字數據，而且可再借立體堆棧設計，進一步提升容量，讓信息電子產品的輕薄短小化有無限發(fā)揮的可能性。

　　這項重要開發(fā)成果已于12月8日在美國舊金山舉行的國際電子組件會議(IEDM)正式發(fā)表，引起國際微電子產學研界高度重視。

　　何家驊預料，這項新技術5到10年內量產，屆時將可對全球新臺幣1兆元的傳統(tǒng)閃存產生重大貢獻，也希望這項技術能在2025年時有機會協(xié)助臺灣于全球閃存的市場占有率提升至10%以上的產值。